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IGBT的檢測方法
來源:上海匯信   發布日期:2014-02-05   點擊次數:1955 

IGBT的定義:
       IGBT是絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的代號。也稱為絕緣門極晶體管。由于IGBT內具有寄生晶閘管,所以也稱作絕緣門極晶閘管。由于它將功率場效應管(MOSFET)和功率晶體管(GTR)的優點集于一身,既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的優點,又有通態電壓低、耐壓高的優點。因此,很適合作焊接電源的逆變開關用。給逆變焊接電源的發展帶來更廣闊前景。
絕緣門極雙極型晶體管本質上是一個場效應晶體管。只是在漏極和漏區之間多了一個P型層。因此,國際電工委員會IEC規定:源極引出的電極端子(含電極端)稱為發射極E,漏極引出的電極端稱為集電極C。
N溝道IGBT的圖形符號如下:



IGBT的開關作用是通過施加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使其開通。反之,施加反向柵極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使其關斷。
IGBT的檢測方法:
移去IGBT的連線,觀察IGBT的外觀是否有損壞。
檢查IGBT的G1-E1和G2-E2之間是否導通,如果導通,則IGBT損壞。

用9V電池給門極G(+)和發射極E(-)施加正電壓,測量集電極C和發射極E的導通情況。
用9V電池給門極G(+)和發射極E(-)施加反向電壓,以使IGBT關斷。
用指針式萬用表測量E1~C1、E2~C2間的導通情況,應為E1→C1、E2→C2方向單向導通。

 

 

 
 
 
 
 
 
 

 

 

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